Samsung 850 EVO SATA III 2,5 Zoll Solid State Drive

Samsung 850 EVO SSD

Noch schneller und zuverlässiger durch die innovative 3-Bit 3D V-NAND-Technologie

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie? Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie.
Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
*PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
**Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur
Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid Mode)

Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V-NAND-Technologie
Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO** Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW-Wert* (Total Bytes Written, Mindest-Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien*** macht.
*TBW: Total Bytes Written
** TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB)
*** Ununterbrochene Leistung (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Gemessene Leistung nach 12 Stunden im Belastungstest mit wahlfreien Schreibzugriffen

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND
Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % weniger Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
*Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Sichern Sie Ihre Daten mit der AES 256-Bit-Verschlüsselung
Die 850 EVO ist mit der neuesten, hardwarebasierten Verschlüsselungstechnik ausgerüstet. Die AES-Verschlüsselung mit 256 Bit sichert Daten ohne die üblichen Leistungseinbußen und erfüllt die Vorgaben von TCG Opal 2.0. Die Verschlüsselung ist außerdem kompatibel mit Microsoft eDrive nach IEEE 1667-Spezifikation. So sind Ihre Daten zu jeder Zeit vor unbefugten Zugriffen geschützt.

Dynamischer Überhitzungsschutz
Der dynamische Hitzeschutz der 850 EVO (Dynamic Thermal Guard) überwacht die Temperatur und hält diese zum Schutz der Datenintegrität auf einem optimalen Wert. Wenn die Temperatur einen Schwellenwert überschreitet, wird die SSD automatisch leicht gedrosselt, um den Computer vor Überhitzung zu schützen. So sind Ihre Daten sicher und die Reaktionsfähigkeit bleibt dabei erhalten.

Steigen Sie auf die 850 EVO um – problemlos!
Mit der One-stop Installations- und Navigations-Software können Sie mit drei einfachen Schritten ohne großen Aufwand sämtliche Daten und Anwendungen von Ihrem bisherigen Laufwerk auf die 850 EVO migrieren. Mit der Samsung Magician Software können Sie außerdem Ihr System auf die SSD 850 EVO ideal anpassen, optimieren und verwalten.

Hochwertige Komponenten aus einer Hand
Samsung entwickelt alle SSD-Komponenten selbst, was eine optimale Integration bedeutet. Das Ergebnis ist eine verbesserte Leistung, ein niedrigerer Energieverbrauch des Speichers und des bis zu 1GB großen LPDDR2/LPDDR3 DRAM Caches*, sowie eine insgesamt verbesserte Energieeffizienz durch den MEX/MGX-Controller.
*Cache-Speichergröße und Art können je nach Modell variieren.

Technische Daten:

  • Anwendung: Client-Systeme
  • Kapazität: 120 GB, 250 GB, 500GB, 1.000 GB (1 GB = 1 Billion byte by IDEMA) * Die tatsächlich verwendbare Kapazität kann geringer ausfallen (abhängig von Formatierung, Partitionierung, Betriebssystem, Anwendungen oder anderen Faktoren)
  • Formfaktor: 2,5“
  • Schnittstellen: SATA 6 Gb/s-Schnittstelle, abwärtskompatibel zu SATA 3 Gb/s und 1,5 Gb/s
  • Abmessungen (BxHxT): 100 x 69,85 x 6,8 mm
  • Gewicht: bei 120 GB bis zu 39g , 250 GB bis zu 40 g, 500 GB bis zu 45 g, 1000 GB - 66 g
  • Storage-Speicher: Samsung 3-Bit 3D V-NAND mit 32 Schichten
  • Controller: bei 120 GB - Samsung MGX Controller
    bei 250 GB - Samsung MGX Controller
    bei 500 GB - Samsung MGX Controller
    bei 1000 GB - Samsung MEX Controller
  • Cache-Speicher: bei 120 GB - Samsung 256 MB Low Power DDR3 SDRAM,
    bei 250 GB - Samsung 256 MB Low Power DDR3 SDRAM
    bei 500 GB - Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
    bei 1000 GB - Samsung 1 GB Low Power DDR2 SDRAM

Technische Änderungen und Irrtümer vorbehalten. Alle im Text aufgeführten Markennamen sind eingetragene Warenzeichen der Hersteller. Gezeigte Abbildungen können vom Original abweichen.

Quelle: SAMSUNG

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